JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFL38N100Q2 Soort behuizing ISOPLUS-264

IXYS
Bestnr.: 564291 - 89
Fabrikantnummer: IXFL38N100Q2 |  EAN: 2050003205672
Afbeelding kan afwijken
€ 66,33
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFL38N100Q2
Behuizingssoort
ISOPLUS‑264
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
29 A
UBR DSS
1000 V
Ptot
380 W
R(DS)(on)
280 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
19 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
8 mA
Q(G)
250 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
13500 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
1000 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFL38N100Q2
Behuizing
ISOPLUS‑264

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
IXFL38N100Q2, transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, IXFL38N100Q2-ND, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen