JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFH70N20Q3 Soort behuizing TO-247

IXYS
Bestnr.: 564279 - 89
Fabrikantnummer: IXFH70N20Q3 |  EAN: 2050003205566
Afbeelding kan afwijken
€ 24,77
Je bespaart € 9,07
€ 15,70
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFH70N20Q3
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
70 A
UBR DSS
200 V
Ptot
690 W
R(DS)(on)
40 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
35 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
6.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
4 mA
Q(G)
67 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3150 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFH70N20Q3
Behuizing
TO‑247

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IXFH70N20Q3, IXYS, source, IXFH70N20Q3-ND, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen