JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFH26N60P Soort behuizing TO-247

IXYS
Bestnr.: 564273 - 89
Fabrikantnummer: IXFH26N60P |  EAN: 2050003205504
Afbeelding kan afwijken
€ 10,89
Je bespaart € 2,28
€ 8,61
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFH26N60P
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
26 A
UBR DSS
600 V
Ptot
460 W
R(DS)(on)
270 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
500 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
4 mA
Q(G)
72 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
4150 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
PolarHV™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFH26N60P
Behuizing
TO‑247

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IXFH26N60P, IXFH26N60P-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen