JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFH26N50P Soort behuizing TO-247

IXYS
Bestnr.: 564272 - 89
Fabrikantnummer: IXFH26N50P |  EAN: 2050003205498
Afbeelding kan afwijken
€ 10,44
U bespaart € 2,12
€ 8,32
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFH26N50P
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
26 A
UBR DSS
500 V
Ptot
400 W
R(DS)(on)
230 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
13 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
4 mA
Q(G)
60 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3600 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
PolarHT™
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFH26N50P
Behuizing
TO‑247

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IXFH26N50P, IXYS, source, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, IXFH26N50P-ND, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen