JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFB70N60Q2 Soort behuizing PLUS-264

IXYS
Bestnr.: 564267 - 89
Fabrikantnummer: IXFB70N60Q2 |  EAN: 2050003205443
Afbeelding kan afwijken
€ 51,00
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFB70N60Q2
Behuizingssoort
PLUS‑264
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
70 A
UBR DSS
600 V
Ptot
890 W
R(DS)(on)
88 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
35 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
8 mA
Q(G)
265 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
12000 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFB70N60Q2
Behuizing
PLUS‑264

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IXFB70N60Q2, unipoliare transistor, source, IXFB70N60Q2-ND, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen