JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET IXYS IXFB62N80Q3 Soort behuizing PLUS-264

IXYS
Bestnr.: 564266 - 89
Fabrikantnummer: IXFB62N80Q3 |  EAN: 2050003205436
Afbeelding kan afwijken
€ 46,98
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IXFB62N80Q3
Behuizingssoort
PLUS‑264
Fabrikant
IXYS
IXY
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
62 A
UBR DSS
800 V
Ptot
1560 W
R(DS)(on)
140 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
31 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
6.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
8 mA
Q(G)
270 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
13600 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HiPerFET™
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
800 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IXFB62N80Q3
Behuizing
PLUS‑264

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IXYS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IXFB62N80Q3, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IXFB62N80Q3-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen