JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies SI4435DYPBF Soort behuizing SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 564205 - 89
Fabrikantnummer: SI4435DYPBF |  EAN: 2050003204859
Afbeelding kan afwijken
€ 1,42
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4435DYPBF
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
UBR DSS
30 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
20 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
60 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2320 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI4435DYPBF
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
SI4435DYPBF-ND, transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, SI4435DYPBF, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen