JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies SI 4410 DY N-Channel U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162881 - 89
Fabrikantnummer: SI4410DY |  EAN: 2050000044816
Afbeelding kan afwijken
€ 1,02
Je bespaart € 0,44
€ 0,58
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI4410DY HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
10 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
13.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
60 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
PowerTrench®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
SI 4410 DY
Beschrijving
30 V/10 A 0,0135
Uitvoering
N‑Channel
UDS
30 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, SI4410DY, unipoliare transistor, source, SI4410DY HEXFET SO-8, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen