JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies P-kanaal I(D) -4.3 A U(DS) -200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162612 - 89
Fabrikantnummer: IRFI9630GPBF |  EAN: 2050000042652
Afbeelding kan afwijken
€ 2,91
Je bespaart € 1,40
€ 1,51
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFI9630GPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
4.3 A
UBR DSS
200 V
Ptot
35 W
R(DS)(on)
800 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.6 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
29 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
700 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑200 V
Beschrijving
‑200 V/‑4.3 A
ID
‑4.3 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, IRFI9630GPBF, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten