JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 8.5 A U(DS) 650 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162563 - 89
Fabrikantnummer: IRFB9N65APBF |  EAN: 2050000042218
Afbeelding kan afwijken
€ 4,66
Je bespaart € 0,17
€ 4,49
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFB9N65APBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
8.5 A
UBR DSS
650 V
Ptot
167 W
R(DS)(on)
930 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
48 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1417 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
650 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
8.5 A
Beschrijving
650 V/8.5 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
650 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRFB9N65APBF, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten