JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 55 A U(DS) 60 V

Infineon Technologies
5 van de 5 door 1 .
  • 2016-12-06 T06:31:14.388-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162751, prod, sort_default
Bestnr.: 162751 - 89
Fabrikantnummer: IRFZ44VPBF |  EAN: 2050000043802
Afbeelding kan afwijken
€ 0,68
Je bespaart € 0,01
€ 0,67
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFZ44VPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
55 A
UBR DSS
60 V
Ptot
115 W
R(DS)(on)
16.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
31 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
67 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1812 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
55 A
Beschrijving
60 V/55 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
60 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRFZ44VPBF, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
5 van de 5 door onderdeel werkt naar verwachting na montage van het onderdeel werkt de voeding weer uitstekend. 29 oktober 2012
  • 2016-12-06 T06:31:14.388-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162751, prod, sort_default
1-1 van 1