JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet Infineon Technologies N-kanaal I(D) 53 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
4 van de 5 door 1 .
  • 2016-12-03 T07:05:20.810-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162753, prod, sort_default
Bestnr.: 162753 - 89
Fabrikantnummer: IRFZ48NPBF |  EAN: 2050000043826
Afbeelding kan afwijken
€ 2,82
Je bespaart € 1,52
€ 1,30
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet

Productspecificaties

Type
IRFZ48NPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
64 A
UBR DSS
55 V
Ptot
130 W
R(DS)(on)
14 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
32 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
81 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1970 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
ID
53 A
Beschrijving
55 V/53 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRFZ48NPBF, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
4 van de 5 door IRFZ48N HEXFET TO-220: stevig werkpaard IRFZ48N HEXFET TO-220: - robuust en sterk werkpaard voor vele schakel toepassingen 23 juli 2009
  • 2016-12-03 T07:05:20.810-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162753, prod, sort_default
1-1 van 1