JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 2.2 A U(DS) 600 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162564 - 89
Fabrikantnummer: IRFBC20PBF |  EAN: 2050000042225
Afbeelding kan afwijken
€ 2,35
U bespaart € 0,11
€ 2,24
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFBC20PBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
2.2 A
UBR DSS
600 V
Ptot
50 W
R(DS)(on)
4.4 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
1.3 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
18 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
600 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
600 V
Beschrijving
600 V/2.2 A
ID
2.2 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, IRFBC20PBF, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten