JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 1.9 A U(DS) 900 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162619 - 89
Fabrikantnummer: IRFIBF30GPBF |  EAN: 2050000042713
Afbeelding kan afwijken
€ 3,65
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFIBF30GPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
1.9 A
UBR DSS
900 V
Ptot
35 W
R(DS)(on)
3.7 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
1.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
78 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1200 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
900 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
ID
1.9 A
Beschrijving
900 V/1.9 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
900 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRFIBF30GPBF, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten