JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 1.9 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162626 - 89
Fabrikantnummer: IRFL014NPBF |  EAN: 2050000042751
Afbeelding kan afwijken
€ 0,83
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFL014NPBF
Behuizingssoort
SOT‑223
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
1.9 A
UBR DSS
55 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
160 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1.9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
190 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V
Beschrijving
55 V/1.9 A
ID
1.9 A

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, IRFL014NPBF, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen