JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR3636PBF Soort behuizing TO-252-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564193 - 89
Fabrikantnummer: IRLR3636PBF |  EAN: 2050003204750
Afbeelding kan afwijken
€ 2,88
Je bespaart € 0,88
€ 2,00
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRLR3636PBF
Behuizingssoort
TO‑252‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3 A
UBR DSS
60 V
Ptot
143 W
R(DS)(on)
6.8 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
50 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
Q(G)
49 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
3779 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLR3636PBF
Behuizing
TO‑252‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRLR3636PBF-ND, field-effect transistor, IRLR3636PBF, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen