JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF Soort behuizing TO-252-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564192 - 89
Fabrikantnummer: IRLR2908PBF |  EAN: 2050003204743
Afbeelding kan afwijken
€ 2,94
Je bespaart € 1,40
€ 1,54
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRLR2908PBF
Behuizingssoort
TO‑252‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
UBR DSS
80 V
Ptot
120 W
R(DS)(on)
28 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
23 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
33 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1890 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
80 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLR2908PBF
Behuizing
TO‑252‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRLR2908PBF, IRLR2908PBF-ND, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen