JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF 1 N-kanaal 120 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564192 - 89
Fabrikantnummer: IRLR2908PBF |  EAN: 2050003204743
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRLR2908PBF 1 N-kanaal 120 W TO-252-3
€ 1,99
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRLR2908PBF
  • Behuizingssoort: TO-252-3
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRLR2908PBF
Behuizingssoort
TO-252-3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
UBR DSS
80 V
Ptot
120 W
R(DS)(on)
28 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
23 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
33 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1890 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
80 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven