JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet Infineon Technologies IRLMS 2002 TR N-kanaal I(D) 6.5 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162836 - 89
Fabrikantnummer: IRLMS2002TRPBF |  EAN: 2050000044441
Technische tekening
€ 0,69
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet

Productspecificaties

Type
IRLMS2002TRPBF
Behuizingssoort
TSOP‑6
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
6.5 A
UBR DSS
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
30 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
22 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
1310 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLMS 2002 TR
ID
6.5 A
Beschrijving
20 V/6,5 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRLMS2002TRPBF, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen