JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL 630 N-kanaal U(DS) 200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162801 - 89
Fabrikantnummer: IRL630PBF |  EAN: 2050000044199
Afbeelding kan afwijken
€ 2,39
Je bespaart € 0,34
€ 2,05
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRL630PBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
9 A
UBR DSS
200 V
Ptot
74 W
R(DS)(on)
400 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.4 A
R(DS)(on) referentiespanning
5 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
40 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1100 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRL 630
Beschrijving
200 V/9 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRL630PBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten