JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL 2910 N-kanaal I(D) 55 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162767 - 89
Fabrikantnummer: IRL2910PBF |  EAN: 2050000043932
Afbeelding kan afwijken
€ 1,49
Je bespaart € 0,02
€ 1,47
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRL2910PBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
55 A
UBR DSS
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
29 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
140 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
3700 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRL 2910
ID
55 A
Beschrijving
100 V/55 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRL2910PBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten