JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet Infineon Technologies IRFZ34NPBF N-kanaal Soort behuizing TO-220 I(D) 26 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162742 - 89
Fabrikantnummer: IRFZ34NPBF |  EAN: 2050000043734
Afbeelding kan afwijken
€ 0,59
U bespaart € 0,05
€ 0,54
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet

Productspecificaties

Type
IRFZ34NPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
29 A
UBR DSS
55 V
Ptot
68 W
R(DS)(on)
40 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
16 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
34 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
700 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V
Type
IRFZ34NPBF
Beschrijving
55 V/26 A
ID
26 A
Behuizing
TO‑220

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, IRFZ34NPBF, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten