JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFU9120NPBF Soort behuizing TO-251-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564099 - 89
Fabrikantnummer: IRFU9120NPBF |  EAN: 2050003203869
Afbeelding kan afwijken
€ 2,03
Je bespaart € 1,07
€ 0,96
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFU9120NPBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
500 mA
UBR DSS
100 V
Ptot
40 W
R(DS)(on)
480 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3.9 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFU9120NPBF
Behuizing
TO‑251‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRFU9120NPBF-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRFU9120NPBF, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen