JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFSL4310PBF Soort behuizing TO-262-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564095 - 89
Fabrikantnummer: IRFSL4310PBF |  EAN: 2050003203821
Afbeelding kan afwijken
€ 5,68
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFSL4310PBF
Behuizingssoort
TO‑262‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
UBR DSS
100 V
Ptot
300 W
R(DS)(on)
7 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
75 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
250 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
7670 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFSL4310PBF
Behuizing
TO‑262‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRFSL4310PBF-ND, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, IRFSL4310PBF, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen