JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFS3207PBF Soort behuizing TO-263-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564086 - 89
Fabrikantnummer: IRFS3207PBF |  EAN: 2050003203739
Afbeelding kan afwijken
€ 5,62
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFS3207PBF
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
170 A
UBR DSS
75 V
Ptot
300 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
75 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
260 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
7600 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
75 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFS3207PBF
Behuizing
TO‑263‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRFS3207PBF-ND, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFS3207PBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen