JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFP4137PBF Soort behuizing TO-247-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564066 - 89
Fabrikantnummer: IRFP4137PBF |  EAN: 2050003203531
Afbeelding kan afwijken
€ 9,32
Je bespaart € 1,55
€ 7,77
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFP4137PBF
Behuizingssoort
TO‑247‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
38 A
UBR DSS
300 V
Ptot
341 W
R(DS)(on)
69 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
24 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
125 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
5168 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
300 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFP4137PBF
Behuizing
TO‑247‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRFP4137PBF, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRFP4137PBF-ND, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen