JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF Soort behuizing TO-247-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564060 - 89
Fabrikantnummer: IRFP2907PBF |  EAN: 2050003203494
Afbeelding kan afwijken
€ 9,74
Je bespaart € 0,70
€ 9,04
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFP2907PBF
Behuizingssoort
TO‑247‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
209 A
UBR DSS
75 V
Ptot
470 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
125 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
620 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
13000 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
75 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFP2907PBF
Behuizing
TO‑247‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRFP2907PBF-ND, field-effect transistor, IRFP2907PBF, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen