JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet Infineon Technologies IRFL 4105 N-kanaal I(D) 3.7 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162630 - 89
Fabrikantnummer: IRFL4105PBF |  EAN: 2050000042799
Afbeelding kan afwijken
€ 1,53
Je bespaart € 0,32
€ 1,21
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet

Productspecificaties

Type
IRFL4105PBF
Behuizingssoort
SOT‑223
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3.7 A
UBR DSS
55 V
Ptot
1 W
R(DS)(on)
45 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
3.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
35 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
660 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFL 4105
ID
3.7 A
Beschrijving
55 V/3,7 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRFL4105PBF, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen