JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFD 120 N-kanaal I(D) 1.3 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162583 - 89
Fabrikantnummer: IRFD120PBF |  EAN: 2050000042416
  • MOSFET Infineon Technologies IRFD 120 N-kanaal I(D) 1.3 A U(DS) 100 V
  • MOSFET Infineon Technologies IRFD 120 N-kanaal I(D) 1.3 A U(DS) 100 V
€ 1,25
(U bespaart € 0,18)
€ 1,07
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,07 --
300 € 1,03 4% = € 12,00
680 € 1,00 7% = € 47,60
1.200 € 0,96 10% = € 132,00
Op voorraad
  • Type: IRFD120PBF
  • Behuizingssoort: HEXDIP
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFD120PBF
Behuizingssoort
HEXDIP
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
1.3 A
UBR DSS
100 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
270 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
780 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
16 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
360 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRFD 120
Beschrijving
100 V/1,3 A
ID
1.3 A
UDS
100 V

Downloads

Specificaties

Vergelijkbare producten