JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFD 120 N-kanaal I(D) 1.3 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162583 - 89
Fabrikantnummer: IRFD120PBF |  EAN: 2050000042416
MOSFET Infineon Technologies IRFD 120 N-kanaal I(D) 1.3 A U(DS) 100 V
€ 1,25
Je bespaart € 0,18
€ 1,07
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFD120PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
1.3 A
UBR DSS
100 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
270 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
780 mA
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
16 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
360 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRFD 120
ID
1.3 A
Beschrijving
100 V/1,3 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRFD120PBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen