JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFB4710PBF Soort behuizing TO-220AB

Infineon Technologies
Bestnr.: 564033 - 89
Fabrikantnummer: IRFB4710PBF |  EAN: 2050003203227
Afbeelding kan afwijken
€ 3,95
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFB4710PBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
75 A
UBR DSS
100 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
14 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
45 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
170 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
6160 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFB4710PBF
Behuizing
TO‑220AB

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRFB4710PBF-ND, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRFB4710PBF, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen