JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFB4510PBF Soort behuizing TO-220AB

Infineon Technologies
Bestnr.: 564030 - 89
Fabrikantnummer: IRFB4510PBF |  EAN: 2050003203197
Afbeelding kan afwijken
€ 2,85
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFB4510PBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
62 A
UBR DSS
100 V
Ptot
140 W
R(DS)(on)
13.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
37 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
Q(G)
87 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3180 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFB4510PBF
Behuizing
TO‑220AB

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRFB4510PBF, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRFB4510PBF-ND, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen