JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFB3006PBF Soort behuizing TO-220AB

Infineon Technologies
Bestnr.: 564023 - 89
Fabrikantnummer: IRFB3006PBF |  EAN: 2050003203128
Afbeelding kan afwijken
€ 5,21
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFB3006PBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
195 A
UBR DSS
60 V
Ptot
375 W
R(DS)(on)
2.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
170 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
300 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
8970 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFB3006PBF
Behuizing
TO‑220AB

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRFB3006PBF-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFB3006PBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen