JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF8910PBF Soort behuizing SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 564013 - 89
Fabrikantnummer: IRF8910PBF |  EAN: 2050003203036
Afbeelding kan afwijken
€ 1,24
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF8910PBF
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
10 A
UBR DSS
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
13.4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.55 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
960 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
IRF8910PBF
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRF8910PBF, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRF8910PBF-ND, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen