JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF8910PBF 2 N-kanaal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 564013 - 89
Fabrikantnummer: IRF8910PBF |  EAN: 2050003203036
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF8910PBF 2 N-kanaal 2 W SOIC-8
€ 1,38
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,38 --
250 € 1,33 4% = € 12,50
600 € 1,29 7% = € 54,00
900 € 1,24 10% = € 126,00
Leverbaar in ca. 3 weken
  • Type: IRF8910PBF
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF8910PBF
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
10 A
UBR DSS
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
13.4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
10 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.55 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
960 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven