JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF8313PBF Soort behuizing SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 564012 - 89
Fabrikantnummer: IRF8313PBF |  EAN: 2050003203029
Afbeelding kan afwijken
€ 1,21
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF8313PBF
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
9.7 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
15.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
9.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
25 µA
Q(G)
90 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
760 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
2
Type
IRF8313PBF
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRF8313PBF, field-effect transistor, IRF8313PBF-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen