JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7820PBF Soort behuizing SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 564007 - 89
Fabrikantnummer: IRF7820PBF |  EAN: 2050003202978
Afbeelding kan afwijken
€ 2,39
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF7820PBF
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3.7 A
UBR DSS
200 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
78 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
Q(G)
44 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1750 pF
C(ISS) referentiespanning
100 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRF7820PBF
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, IRF7820PBF-ND, gate, unipoliare transistor, source, IRF7820PBF, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen