JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7478PBF Soort behuizing SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 564001 - 89
Fabrikantnummer: IRF7478PBF |  EAN: 2050003202916
Afbeelding kan afwijken
€ 1,28
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF7478PBF
Behuizingssoort
SOIC‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
7 A
UBR DSS
60 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
26 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
3 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
31 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1740 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRF7478PBF
Behuizing
SOIC‑8

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRF7478PBF, IRF7478PBF-ND, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen