JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7343 1 N-kanaal, P-kanaal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 162459 - 89
Fabrikantnummer: IRF7343 |  EAN: 2050000041471
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF7343 1 N-kanaal, P-kanaal 2 W SOIC-8
€ 0,46
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRF7343
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal , P-kanaal

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7343
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
I(d)
4.7 A
3.4 A
UBR DSS
55 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
4.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
36 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
740 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
HEXFET

Downloads

Specificaties

Vergelijkbare producten
Naar boven