JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7317 1 N-kanaal, P-kanaal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 162455 - 89
Fabrikantnummer: IRF7317 |  EAN: 2050000041433
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF7317 1 N-kanaal, P-kanaal 2 W SOIC-8
€ 1,29
(U bespaart € 0,32)
€ 0,97
incl. btw, excl. verzendkosten
Uitverkocht, uit ons assortiment
  • Type: IRF7317
  • Behuizingssoort: SOIC-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal , P-kanaal

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7317
Behuizingssoort
SOIC-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
P-kanaal
I(d)
6.6 A
5.3 A
UBR DSS
20 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
0.7 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
27 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
900 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
HEXFET

Downloads

Specificaties

Vergelijkbare producten
Naar boven