JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7313 1 N-kanaal 2 W SO-8

Infineon Technologies
Bestnr.: 162452 - 89
Fabrikantnummer: IRF7313 |  EAN: 2050000041402
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF7313 1 N-kanaal 2 W SO-8
€ 1,19
(U bespaart € 0,30)
€ 0,89
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRF7313
  • Behuizingssoort: SO-8
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7313
Behuizingssoort
SO-8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
6.5 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
33 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
HEXFET

Downloads

Specificaties

Vergelijkbare producten
Naar boven