JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF6725MTR1PBF 1 N-kanaal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestnr.: 161269 - 89
Fabrikantnummer: IRF6725MTR1PBF |  EAN: 2050001543004
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF6725MTR1PBF 1 N-kanaal 2.8 W DirectFET™
€ 2,71
(U bespaart € 0,52)
€ 2,19
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRF6725MTR1PBF
  • Behuizingssoort: DirectFET™
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRF6725MTR1PBF
Behuizingssoort
DirectFET™
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
28 A
170 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
2.2 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
28 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.35 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
Q(G)
54 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
4700 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-40 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven