JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF 1 N-kanaal 1.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestnr.: 161254 - 89
Fabrikantnummer: IRF6710S2TR1PBF |  EAN: 2050001542878
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF 1 N-kanaal 1.8 W DirectFET™
€ 2,05
(U bespaart € 0,46)
€ 1,59
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRF6710S2TR1PBF
  • Behuizingssoort: DirectFET™
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRF6710S2TR1PBF
Behuizingssoort
DirectFET™
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
12 A
37 A
UBR DSS
25 V
Ptot
1.8 W
R(DS)(on)
5.9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
12 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
25 µA
Q(G)
13 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1190 pF
C(ISS) referentiespanning
13 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
25 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven