JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF6641TR1PBF 1 N-kanaal 2.8 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestnr.: 161242 - 89
Fabrikantnummer: IRF6641TR1PBF |  EAN: 2050001542755
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF6641TR1PBF 1 N-kanaal 2.8 W DirectFET™
€ 3,12
(U bespaart € 0,73)
€ 2,39
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRF6641TR1PBF
  • Behuizingssoort: DirectFET™
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRF6641TR1PBF
Behuizingssoort
DirectFET™
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
4.6 A
26 A
UBR DSS
200 V
Ptot
2.8 W
R(DS)(on)
59.9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
5.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4.9 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
150 µA
Q(G)
48 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2290 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-40 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven