JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF6614TR1PBF 1 N-kanaal 2.1 W DirectFET™

Infineon Technologies
Bestnr.: 161239 - 89
Fabrikantnummer: IRF6614TR1PBF |  EAN: 2050001542731
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF6614TR1PBF 1 N-kanaal 2.1 W DirectFET™
€ 2,30
(U bespaart € 0,51)
€ 1,79
incl. btw, excl. verzendkosten
Uitverkocht, uit ons assortiment
  • Type: IRF6614TR1PBF
  • Behuizingssoort: DirectFET™
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRF6614TR1PBF
Behuizingssoort
DirectFET™
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
12.7 A
55 A
UBR DSS
40 V
Ptot
2.1 W
R(DS)(on)
8.3 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
12.7 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.25 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
29 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2560 pF
C(ISS) referentiespanning
20 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-40 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
40 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven