JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF610S 1 N-kanaal 3 W D2PAK

Infineon Technologies
Bestnr.: 162415 - 89
Fabrikantnummer: IRF610S |  EAN: 2050000041068
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF610S 1 N-kanaal 3 W D2PAK
€ 0,97
(U bespaart € 0,06)
€ 0,91
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad
  • Type: IRF610S
  • Behuizingssoort: D2PAK
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF610S
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
3.3 A
UBR DSS
200 V
Ptot
3 W
R(DS)(on)
1.5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
8.2 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
140 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
HEXFET
Vergelijkbare producten
Naar boven