JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF1010NS 1 N-kanaal 180 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 162364 - 89
Fabrikantnummer: IRF1010NS |  EAN: 2050000040634
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET Infineon Technologies IRF1010NS 1 N-kanaal 180 W TO-263-3
€ 1,32
(U bespaart € 0,48)
€ 0,84
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,84 --
700 € 0,82 2% = € 14,00
1.500 € 0,79 6% = € 75,00
Uitverkocht, uit ons assortiment
  • Type: IRF1010NS
  • Behuizingssoort: TO-263-3
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF1010NS
Behuizingssoort
TO-263-3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
85 A
UBR DSS
55 V
Ptot
180 W
R(DS)(on)
11 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
43 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
120 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3210 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
HEXFET

Downloads

Vergelijkbare producten
Naar boven