JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies HEXFET I(D) 10 A U(DS) 60 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162737 - 89
Fabrikantnummer: IRFZ14PBF |  EAN: 2050000043697
Afbeelding kan afwijken
€ 1,28
Je bespaart € 0,70
€ 0,58
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFZ14PBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
HEXFET
I(d)
10 A
UBR DSS
60 V
Ptot
43 W
R(DS)(on)
200 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
300 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
10 A
Beschrijving
60 V / 10 A
Uitvoering
HEXFET
UDS
60 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRFZ14PBF, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten