JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF 710 N-kanaal I(D) 2 A U(DS) 400 V

Vishay
Bestnr.: 162429 - 89
Fabrikantnummer: IRF710PBF |  EAN: 2050000041204
Afbeelding kan afwijken
€ 1,61
Je bespaart € 1,16
€ 0,45
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF710
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
2 A
UBR DSS
400 V
Ptot
36 W
R(DS)(on)
3.6 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
1.2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
17 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
170 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
400 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 710
ID
2 A
Beschrijving
400 V/2 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
400 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
IRF710PBF, transistor MOS, Vishay, IRF710, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten