JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Vishay IRF 610 N-kanaal I(D) 3.3 A U(DS) 200 V

Vishay
Bestnr.: 162414 - 89
Fabrikantnummer: IRF610 |  EAN: 2050000041051
Afbeelding kan afwijken
€ 0,83
Je bespaart € 0,40
€ 0,43
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF610
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
3.3 A
UBR DSS
200 V
Ptot
36 W
R(DS)(on)
1.5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
2 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
8.2 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
140 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 610
ID
3.3 A
Beschrijving
200 V/3,3 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

Een MOSFET-transistor is een spanninggestuurde component die direct op hoogohmige bronnen kan worden aangesloten. Hij is zeer geschikt om als schakelaar of als analoge versterker te gebruiken. Let op: fabrikant SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF610, fieldeffect-transistor, mos-fet